由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器的配置状态电阻值。其中,频段与射频功率放大器的对应情况包括两种:一个频段对应一个射频功率放大器或多个频段对应一个射频功率放大器。移动终端在进行频段切换前,移动终端的射频功率放大器的状态包括开启状态或关闭状态,江苏品质射频功率放大器服务电话,移动终端在进行频段切换时,需要开启一个或多个射频功率放大器。射频功率放大器的配置状态即移动终端在进行频段切换时,江苏品质射频功率放大器服务电话,此时移动终端的射频功率放大器的状态。其中,由于射频功率放大器的开启状态与关闭状态所对应的电阻值不同,预设射频功率放大器的配置状态即预设射频功率放大器的配置状态电阻值。因此,射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值。其中,每个射频功率放大器配置一个匹配电阻,关闭状态的电阻值为射频功率放大器的电阻值,开启状态的电阻值为匹配电阻的电阻值。不同的射频功率放大器设置不同的匹配电阻,不同的匹配电阻的电阻值不相等,并且满足若干个并联后不相等。本申请对于射频功率放大器的个数不作限定,匹配电阻的个数与射频功率放大器的个数相同。其中,检测到射频功率放大器关闭时,江苏品质射频功率放大器服务电话,其匹配电阻不生效。射频功率放大器是无线通信系统中非常重要的组件。江苏品质射频功率放大器服务电话
驱动放大电路和功率放大电路的电路结构一样,但二者对应的各个器件的尺寸差异很大。相比较而言,功率放大电路更加注重输出放大信号的效率,驱动放大电路更加注重放大信号的增益控制。射频功率放大器电路的高、中、低功率模式下,电路结构和dc偏置都需要进行切换,即,通过改变反馈电路中的开关、电压偏置电路中的栅极电压、电流偏置电路中的漏极电流、供电电压vcc,以及使能可控衰减电路,协作实现以上功率模式,以及实现非负增益模式和负增益模式。图2b是本发明实施例提供的射频功率放大器电路的电路结构示意图,如图2b所示,应用于终端,包括:依次连接的可控衰减电路107、输入匹配电路101、驱动放大电路102、级间匹配电路103、功率放大电路105和输出匹配电路106,与驱动放大电路102跨接的反馈电路103;可控衰减电路107,用于根据终端中微处理器发送的模式控制信号,实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换;输入匹配电路101,用于使可控衰减电路和驱动放大电路之间阻抗匹配;驱动放大电路102,用于放大输入匹配电路输出的信号;反馈电路103,用于调节射频功率放大器电路的增益;级间匹配电路104,用于使驱动放大电路和功率放大电路之间阻抗匹配。四川EMC射频功率放大器供应商乙类工作状态:功率放大器在信号周期内只有半个周期存在工作电流,即导 通角0为180度.
gate)电压偏置电路由内部电压源vg、r8、r9和c13按照图7所示连接而成。r8、r9和c13组成的t型网络,起到隔离t3栅极较弱射频电压摆幅的作用。在实际模拟电路中设计电压源,可将vg电压分成多个档位,通过数字寄存器(属于微控制器)控制切换vg档位,达到t3栅极电压切换的效果。其中,t4和t5组成的叠管结构,与t2和t3组成的叠管结构,是一样的。t2和t3和器件尺寸一样,t4和t5和器件尺寸一样。t2(t3):t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的关系。比如:t2和t3的mos管的沟道宽度为2mm左右,t4和t5的mos管的沟道宽度为5mm。则在非负增益模式下:vcc=,t2的偏置电流ib=12ma左右,t4的偏置电流ib=45ma左右,t3管和t5管的vg=。在负增益模式下:vcc=,t2的偏置电流ib=2ma左右;t4的偏置电流ib=6ma左右;t3管和t5管的vg=。在本申请文件实施例提供的射频功率放大器电路中,为了说明输入匹配的可控衰减电路设计,对级间匹配电路进行了简化处理,实际的级间匹配电路是一个较为复杂的lccl网络。级间匹配电路中的c7的电容数值较大,c7使r6在射频频率上并联接地。需要注意的是,在本申请实施例中,匹配这个概念针对的是射频信号,c7表示射频的短路,可在射频等效电路中省去。此外。
ProductGainLinearPowerVoltageFrequencySST12CP113425–5–SST12CP11C3725––SST12CP123425––SST12CP213725––SST12CP333925––SST12LP0729––SST12LP07A28––SST12LP07E3020––SST12LP083020––SST12LP08A29––SST12LP143020––SST12LP14A2921––SST12LP14C3220––SST12LP14E2319––SST12LP153523––SST12LP15A3222––SST12LP15B3222––SST12LP17A28––SST12LP17B2619––SST12LP17E2918––SST12LP18E2518––SST12LP19E25––SST12LP2030183––SST12LP222719––SST12LP252719––SST11CP15–––SST11CP15E26–29––SST11CP1630––SST11CP223120––SST11LP1228-3420––SST11LF043018––SST11LF052817––SST11LF082817––SST12LF012919––SST12LF0229––SST12LF0328193––SST12LF092417––不难看出,Microchip的WiFiPA以低功率为主,*在。不得不说,Mircochip的PA命名方式让笔者感到困惑,很难从型号本身猜到其性能指标。本文给出笔者曾经用过的SST12CP11的性能指标,如下图,还是很不错的。MicrosemiMicrosemiCorporation总部设于加利福尼亚州尔湾市,是一家的高性能模拟和混合信号集成电路及高可靠性半导体设计商、制造商和营销商。谐波抑制,功率放大器的非线性特性使输出包含基波信号同时在各项谐波幅度大小与信号大小呈一定的比例关系。
令rj为射频功率放大器检测模块的电阻值,rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);vgpio为处理器引脚的电压值,vdd为电源电压,r0为计算电阻的电阻值。计算电阻r0的电阻值已知,本申请对于计算电阻r0的电阻值的设置不作限定,计算电阻r0用于计算射频功率放大模块的电阻值。图2为本申请实施例提供的射频功率放大器检测电路的连接示意图。请参阅图2,以四个射频功率放大器并联为例,计算电阻201的一端与电源电压vdd相连,计算电阻201的另一端与射频功率放大器211、212、213和214并联而成的一端相连,射频功率放大器211、212、213和214并联而成的另一端与接地端相连,计算电阻201与射频功率放大器的连接之间设置处理器202。其中,在本申请实施例中,射频功率放大器211、212、213和214的电阻值分别设为r1、r2、r3和r4,射频功率放大器211、212、213和214各自的匹配电阻的电阻值分别为r11、r22、r33和r44。在移动终端进行频段切换前,设所有射频功率放大器的初始状态都是关闭的,即此时射频功率放大器的电阻值分别为r1、r2、r3和r4。当移动终端进行频段切换时,需要开启射频功率放大器211,则预设射频功率放大器的配置状态为射频功率放大器211开启,射频功率放大器212、213和214保持关闭。功率放大器一般可分为A、AB、B、c、D、E、F类。安徽高科技射频功率放大器制定
根据晶体管的增益斜率和放大器增益要求,确定待综合匹配网络的衰减斜 率、波纹、带宽,并导出其衰减函数。江苏品质射频功率放大器服务电话
因为设计的可控衰减电路中电感的品质因数q较低,因此频选特性不明显,频率响应带宽较宽,带来的射频信号的插入损耗相对较小。负增益模式下的回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。假设fh为上限频率,fl为下限频率,fo为中心频率;且有:fh=900mhz,fl=600mhz,fo=800mhz,回波损耗大于15db,频率响应的带宽可达到300mhz以上,相对带宽可达到(fh-fl)/fo=(900-600)/800=%。下面再提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构,如图5b所示,在该结构中的可控衰减电路的电阻r1可以变为开关sw2,增强了对射频输入端口rfin的esd保护能力。本申请实施例提供的技术方案的有益效果在于:通过在信号的输入端设计可控衰减电路,在实现功率放大器增益负增益的同时,对高增益模式性能的影响很小,并且加强了对rfin端口的esd保护。该电路结构简洁,对芯片面积占用小,能降低硬件成本。在本申请实施例提供的射频功率放大器电路中,反馈电路中可以用于切换的电阻有多种,例如当射频功率放大器电路需要实现三档增益模式:高增益30db左右,低增益15db左右,负增益-10db左右。此时,反馈电路如图6所示,c51、c52、c53和c54是1pf~2pf范围的电容。电阻r53大于r51大于r52。江苏品质射频功率放大器服务电话
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